Новый метод получения п–р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn5S8
Воздействием мощного лазерного излучения на полупроводниковые соединения с дефектной кристаллической структурой типа А¹В³₅С⁶₈ изменен тип электрической проводимости кристалла. Показано, что при определенной мощности и длине волны лазерного излучения, воздействующего на монокристаллический п-AgIn₅S₈,...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 10. С. 88-91 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142304 |