Воздействие ионного облучения на процесс нанокристаллизации и изменение рельефа поверхности ленты сплава Fe72.5Cu1Nb2Mo1.5Si14B9
Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследован процесс кристаллизации аморфного сплава Fe₇₂.₅Cu₁Nb₂Mo₁.₅Si₁₄B₉ под воздействием ускоренных ионов Ar+. Установлено, что облучение ионами Ar⁺ с энергией 30 кэВ при плотности ионного тока 300 мкА/см² (флюенс 3.75·10¹⁵ см⁻²; в...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 10. С. 157-165 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142316 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследован процесс кристаллизации аморфного сплава Fe₇₂.₅Cu₁Nb₂Mo₁.₅Si₁₄B₉ под воздействием ускоренных ионов Ar+. Установлено, что облучение ионами Ar⁺ с энергией 30 кэВ при плотности ионного тока 300 мкА/см² (флюенс 3.75·10¹⁵ см⁻²; время облучения ∼ 2 с; кратковременный нагрев ионным пучком до 350 °С, что на 150 °С ниже термического порога кристаллизации) приводит к полной кристаллизации аморфного сплава (во всем объеме ленты толщиной 25 мкм) с выделением кристаллов твердого раствора α-Fe(Si), близкого по составу к Fe₈₀Si₂₀, стабильной фазы Fe₃Si и метастабильных гексагональных фаз. Методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии показано, что вызванная облучением нанокристаллизация сопровождается изменением рельефа как с облученной, так и с необлученной сторон ленты сплава Fe₇₂.₅Cu₁Nb₂Mo₁.₅Si₁₄B₉ на глубине, превышающей на фактор более чем 10³ глубину физического проникновения ионов в данный материал. Полученные данные, с учетом существенного снижения температуры и многократного ускорения процесса кристаллизации, являются доказательством радиационно-динамического воздействия ускоренных ионов на метастабильную аморфную среду. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 24 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |