Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge
Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 13-19 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142319 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном нагреве до 1000 оС подложки Si(100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0.35о. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1×2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000 оС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 10 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |