Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge
Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 11. С. 13-19 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142319 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03173nab a2200397 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001142319 | ||
| 005 | 20240724122219.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 240710|2017 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001142319 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge |c М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев [и др.] |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 10 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном нагреве до 1000 оС подложки Si(100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0.35о. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1×2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000 оС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. | |
| 653 | |a дифракция быстрых электронов | ||
| 653 | |a молекулярно-лучевая эпитаксия | ||
| 653 | |a атомно-силовая микроскопия | ||
| 653 | |a островки Ge | ||
| 653 | |a поверхность Si(100) | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 968356 | |
| 700 | 1 | |a Есин, Михаил Юрьевич |9 502075 | |
| 700 | 1 | |a Никифоров, Александр Иванович |9 395171 | |
| 700 | 1 | |a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич |9 395169 | |
| 700 | 1 | |a Машанов, Владимир Иванович |9 502072 | |
| 700 | 1 | |a Туктамышев, Артур Раисович |9 552781 | |
| 700 | 1 | |a Лошкарев, Иван Дмитриевич |9 400932 | |
| 700 | 1 | |a Пчеляков, Олег Петрович |9 86571 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2017 |g Т. 60, № 11. С. 13-19 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142319 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1142319 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1142319 |d 1142319 | ||
| 039 | |b 100 | ||