О механизмах образования памяти и появления отрицательного дифференциального сопротивления в твердых растворах системы TlInTe2–TlYbTe2
Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInТe₂–ТlYbТe₂. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из сос...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12. С. 128-131 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142352 |