Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда про...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 2. С. 19-25 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142361 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда происходит в результате их столкновений с фононами объема вещества квантовой ямы и межфазными границами раздела «барьерный слой - квантовая яма». Получены аналитические выражения для времен взаимодействия с учетом глубины залегания уровня размерного квантования, участвующего во взаимодействии с электронами, и ширины ямы. Численные оценки показывают, что в реальных условиях время захвата меньше времени эмиссии, и это различие увеличивается с ростом глубины залегания уровня. При малых глубинах залегания времена захвата и эмиссии сопоставимы. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 21 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |