Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда про...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 2. С. 19-25 |
---|---|
Main Author: | Давыдов, Валерий Николаевич |
Other Authors: | Каранкевич, Олеся Александровна |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142361 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
by: Бурмистров, Евгений Романович - Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
- Effect of gallium arsenide charge carrier life time on the generation and detection efficiency of continuous and pulsed terahertz radiation
-
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019) - Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в поликристаллическом кремнии СВЧ-методом