Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмиссии носителей заряда. Релаксация избыточной энергии при захвате и эмиссии носителей заряда происходи...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 2. С. 19-25 |
|---|---|
| Главный автор: | Давыдов, Валерий Николаевич |
| Другие авторы: | Каранкевич, Олеся Александровна |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142361 |
Похожие документы
-
Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007) -
Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
по: Бурмистров, Евгений Романович -
Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
по: Шабанов, Генрих Александрович - Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
-
Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Косухин, Константин Михайлович
