Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники

Приведен обзор литературы по магнитным свойствам нитрида галлия, легированного редкоземельными элементами (РЗЭ). Рассмотрены свойства GaN, легированного РЗЭ в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированн...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 4. С. 59-72
Другие авторы:	Хлудков, Станислав Степанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Ивонин, Иван Варфоломеевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	нитрид галлия ферромагнитные свойства примеси редкоземельных элементов статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144844 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями переходных элементов, в качестве материала для спинтроники

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный марганцем, в качестве материала для спинтроники

Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
по: Хлудков, Станислав Степанович

Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
по: Брудный, Валентин Натанович

Свойства монокристаллов селенида галлия, легированных изовалентными примесями

Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
по: Антонов, В. В.

Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями

Отжиг нитрида галлия при электронно-лучевой обработке
по: Баровский, Н. В.

Синтезы соединений редкоземельных элементов
Публикация: (1983)

Исследование электрофизических свойств термообработанного и легированного быстродиффундирующими примесями арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Малисова, Е. В.
Публикация: (1971)

Состав и структура градиентно-слоистых покрытий: легированный нитрид титана - дисперсно-упрочненный аморфный углерод
по: Овчинников, Станислав Владимирович

Спектры ростовых ловушек нитрида галлия
по: Брудный, Павел Александрович

Синтезы соединений редкоземельных элементов
Публикация: (1986)

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

К химии редкоземельных элементов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Серебренников, Виктор Васильевич 1911-1986

Формирование шероховатости на поверхности нитрида галлия
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Нитрид кремния в электронике/
по: Белый, В. И. Вячеслав Иванович, et al.
Публикация: (1982)

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Тиогерманиты, тиостанниты, тиостаннаты некоторых редкоземельных элементов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Гуськова, Валентина Петровна
Публикация: (1974)

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Спектрофотометрические методы определения индивидуальных редкоземельных элементов
по: Полуэктов, Николай Сергеевич
Публикация: (1968)

Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
по: Хлудков, Станислав Степанович

О свойствах хлоратов, броматов и йодатов редкоземельных элементов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Якунина, Галина Михайловна
Публикация: (1970)

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Окситримезинаты и окситримеллитаты редкоземельных элементов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Губанова, Светлана Михайловна
Публикация: (1982)

Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников

Получение и некоторые физико-химические свойства оксисульфидов редкоземельных элементов диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Сургутский, В. П.
Публикация: (1967)

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе