Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Похожие документы

• Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
  по: Sokolov, А. S.
• Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов