Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Изменение характера осцилляции...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Bibliographic Details
Published in:Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 20
Main Author: Ворсин, Олег Игоревич
Other Authors: Кукенов, Олжас Игоревич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
германий
кремний
молекулярно-лучевая эпитаксия
дифракция быстрых отраженных электронов, метод
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144888
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View
Description
Bibliography:Библиогр.: 1 назв.
ISBN:9785907722835

Similar Items

  • Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
    by: Sokolov, А. S.
  • RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
    by: Dyukov, I. Y.
  • Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
    by: Кукенов, Олжас Игоревич
  • Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
    by: Кукенов, Олжас Игоревич
  • Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...