Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Похожие документы

• Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
  по: Дирко, Владимир Владиславович
  Публикация: (2022)
• Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов
• Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
  по: Sokolov, А. S.
• Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
  по: Кукенов, Олжас Игоревич
• RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
  по: Dyukov, I. Y.