Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 20
Main Author:	Ворсин, Олег Игоревич
Other Authors:	Кукенов, Олжас Игоревич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	германий кремний молекулярно-лучевая эпитаксия дифракция быстрых отраженных электронов, метод экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144888

Similar Items

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
by: Dyukov, I. Y.

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
by: Торопов, Никита Александрович

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
by: Остертак, Д. И.

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Published: (2023)

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Применение метода дифракции отраженных электронов для исследования минералов
by: Лычагин, Дмитрий Васильевич

Люминесценция нанокристаллического Si в структурах (Si+CaF2)/CaF2 в видимом диапазоне спектра

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Применение EBSD-анализа для исследования структуры и распределения остаточных напряжений в сварных трубах из стали 13ХФА

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич