Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 20
Main Author:	Ворсин, Олег Игоревич
Other Authors:	Кукенов, Олжас Игоревич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	германий кремний молекулярно-лучевая эпитаксия дифракция быстрых отраженных электронов, метод экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144888

Similar Items

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
by: Sokolov, А. S.

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
by: Dyukov, I. Y.

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
by: Lozovoy, Kirill A.

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/
by: Лапидус, И. И. Илья Иосифович, et al.
Published: (1978)

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
by: Торопов, Никита Александрович

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
by: Kokhanenko, Andrey P.

К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович