Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers

The monograph is generalization of the results of extensive research into structures and devices based on gallium arsenide with deep impurity centers carried out in Tomsk State University, the Siberian Institute for Physics and Technology and the Scientific Research Institute of Semiconductor Device...

Full description

Bibliographic Details
Corporate Author:	Tomsk State University
Other Authors:	Khludkov, Stanislav S., Tolbanov, Oleg P. (Editor), Vilisova, Marija Dmitrievna, Prudaev, Ilya A., Tyazhev, Anton V.
Format:	eBook
Language:	English
Published:	Tomsk TSU Press 2024
Subjects:	арсенид галлия легированный примеси переходных металлов легирование полупроводников примесное легирование полупроводников диффузионное легирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия π-v-n-структуры S-диоды лавинные переключающие детекторы ионизирующих излучений фотоприемники многоэлементные УФ диапазона фоторезисторные приемники ИК-излучения генераторы терагерцевого диапазона арсенида галлия высокоомные слои пассивация интегральных схем арсенид галлия легированный марганцем арсенид галлия легированный железом арсенид галлия ферромагнитный гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного полупроводники ферромагнитные спинтроника, материалы генераторы дельта-импульсов электронные структуры арсенида галлия монографии
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144896 Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144896
Перейти в каталог НБ ТГУ

Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers

Internet

Similar Items