Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers

Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers

The monograph is generalization of the results of extensive research into structures and devices based on gallium arsenide with deep impurity centers carried out in Tomsk State University, the Siberian Institute for Physics and Technology and the Scientific Research Institute of Semiconductor Device...

Полное описание

Библиографическая информация
Другие авторы:	Khludkov, Stanislav S., Tolbanov, Oleg P. (Редактор), Vilisova, Marija Dmitrievna, Prudaev, Ilya A., Tyazhev, Anton V.
Формат:	Электронная книга
Язык:	Russian
Публикация:	Tomsk TSU Press 2024
Предметы:	арсенид галлия легированный примеси переходных металлов легирование полупроводников примесное легирование полупроводников диффузионное легирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия π-v-n-структуры S-диоды лавинные переключающие детекторы ионизирующих излучений фотоприемники многоэлементные УФ диапазона фоторезисторные приемники ИК-излучения генераторы терагерцевого диапазона арсенида галлия высокоомные слои пассивация интегральных схем арсенид галлия легированный марганцем арсенид галлия легированный железом арсенид галлия ферромагнитный гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного полупроводники ферромагнитные спинтроника, материалы генераторы дельта-импульсов электронные структуры арсенида галлия монографии
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144896

Похожие документы

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Публикация: (2016)

Ядерное легирование и радиационное модифицирование арсенида галлия
по: Колин, Николай Георгиевич

Арсенид галлия [cборник
Публикация: (1974)

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Анизотропия легирования и электрофизические свойства автоэпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Катаев, Юрий Георгиевич
Публикация: (1972)

Кинетика и механизм газофазовой эпитаксии полупроводников типа А III B Y (на примере арсенида галлия) диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10
по: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008
Публикация: (1981)

Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces

Исследование структурных нарушений в арсениде галлия, облученном электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Публикация: (1972)

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Окунев, В. Д.
Публикация: (1972)

Фотопроводимость и спектры поглощения арсенида галия, облученного протонами с энергией 5 Мэв диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Редько, Всеволод Петрович 1937-
Публикация: (1971)

Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пороховниченко, Лидия Петровна
Публикация: (1978)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Ступина, Нина Михайловна
Публикация: (1973)

Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Бобровникова, Ирина Анатольевна
Публикация: (1989)

Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP

Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Сачков, Виктор Анатольевич
Публикация: (2011)

Исследование электрофизических свойств термообработанного и легированного быстродиффундирующими примесями арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Малисова, Е. В.
Публикация: (1971)

Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. тезисы докладов
Публикация: (1982)

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Верхолетов, Максим Георгиевич
Публикация: (2022)

Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Вилисова, Мария Дмитриевна
Публикация: (1972)

Магниточувствительность субмикронных ионнолегированных слоев арсенида галлия
по: Карлова, Гелия Федоровна

Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета
Публикация: (1973)

Изучение некоторых закономерностей метода АПН и применение этого метода для определения коэффициентов диффузии металлов в ртути и для анализа мышьяка и арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Захарова, Эльза Арминовна
Публикация: (1965)

Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Электрические свойства GaAs, легированного железом

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Публикация: (1978)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction

Светодиод из GaAs(Si) как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек
по: Сидоров, Валерий Георгиевич

Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
по: Будницкий, Давыд Львович
Публикация: (1986)

Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа
по: Хлудков, Станислав Степанович

Исследование распределения напряженности поля в структурах арсенида галлия, легированного хромом, в зависимости от степени легирования
по: Васильева, Людмила Александровна

Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5

Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия

Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Адсорбционные свойства эпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04
по: Шакалов, Федор Егорович
Публикация: (1979)

Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures

Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия
по: Лисюк, Ю. В