Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Моделирование поверхностной се...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si

Bibliographic Details
Published in:Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 48-49
Main Author: Ишков, Арман Дмитриевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
кремний
германий
молекулярно-пучковая эпитаксия
сегрегация поверхностная
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144968
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144968

Similar Items

  • Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
    by: Ишков, Арман Дмитриевич
  • Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
  • О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии
    by: Эрвье, Юрий Юрьевич
  • Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
    by: Nikiforov, Alexander I.
  • Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
    by: Лозовой, Кирилл Александрович
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...