Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 48-49
Main Author:	Ишков, Арман Дмитриевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	кремний германий молекулярно-пучковая эпитаксия сегрегация поверхностная экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001144968 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Эрвье, Юрий Юрьевич

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
by: Nikiforov, Alexander I.

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
by: Духан, Рахаф М. Х.

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Температурная зависимость роста кремния и германия на графите при молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ворсин, Олег Игоревич

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия: научное издание/
by: Лапидус, И. И. Илья Иосифович, et al.
Published: (1978)

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
by: Lozovoy, Kirill A.

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
by: Пищагин, Антон Александрович

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge