Влияние легирования халькогенами Se, Te на оптические свойства дифосфида цинка-герамания

Влияние легирования халькогенами Se, Te на оптические свойства дифосфида цинка-герамания

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Физика твердого тела : сборник материалов XIX Российской студенческой конференции, посвященной 85-летию кафедры физики твердого тела физического факультета ТГУ (13-17 мая 2024 г.) С. 67-68
Главный автор:	Лысенко, Алексей Борисович
Другие авторы:	Слюнько, Елена Сергеевна, Кальсин, Андрей Юрьевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	дифосфид цинка-германия оптические свойства легирование халькогены статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145058

Похожие документы

Диффузионное легирование, как способ повышения порога оптического пробоя монокристалла дифосфида цинка-германия

Зависимость лучевой прочности дифосфида цинка-германия от постростовых обработок
по: Слюнько, Елена Сергеевна

Влияние низкотемпературного отжига на дислокационную структуру монокристаллов дифосфида цинка - германия
по: Кириллов, С. М.

Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
по: Воеводин, Владимир Иванович

Quality control of ZnGeP2 single crystals using optical methods
по: Dyomin, Victor V.

Оптическое "просветление" нелинейно-оптического кристалла ZnGeP2
по: Воеводин, Владимир Иванович

Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя

High-strength optical coatings for single-crystal ZnGeP2 by the IBS method using selenide and oxide materials

Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
по: Воеводин, Владимир Иванович

О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

Исследования роста крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 для параметрических генераторов света
по: Титов, Константин Сергеевич

Влияние лазерной закалки поверхности монокристаллов ZnGeP2 на порог оптического пробоя
по: Кальсин, Андрей Юрьевич

Visualization and characterization of pre-breakdown processes in the volume of a ZnGeP2 single crystal during parametric generation of radiation in the wavelength range of 3.5–5 μm when pumped by Ho: YAG laser radiation

Ферромагнетизм полидисперсного оксида цинка, легированного железом

Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера

Laser-induced damage threshold of ZnGeP2 crystal for (sub)picosecond 1-μm laser pulse

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Моделирование континуального поглощения монокристаллического ZnGeP2

Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2

Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см–1

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

The influence of angstrom-scale roughness on the laser-induced damage threshold of single-crystal ZnGeP2

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
по: Бобылева, О. Д.

Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа
по: Юдин, Николай Николаевич

Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана

Donor-acceptor coordination of anions by chalcogen atoms of 1,2,5-chalcogenadiazoles

Фоновый спектр тетрагонального ZnP2 в модели Китинга
по: Копытов, Анатолий Владимирович

Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
по: Лебедев, И. Н.

Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии

Синтез и исследование спектрально-люминесцентных характеристик порошков на основе оксида цинка
по: Гавриленко, Екатерина Артемьевна

Electrical relaxation and transport properties of ZnGeP2 and 4H-SiC crystals measured with terahertz spectroscopy

Технология ионного легирования: Пер. с яп./
Публикация: (1974)

Люминесценция и электрические свойства окиси цинка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Коновалов, Г. А.
Публикация: (1951)

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Инженерия дисперсии GaSe в ТГЦ-диапазоне путем легирования алюминием
по: Лубенко, Дмитрий Михайлович

Doping as a mean to improve mechanical properties for GaSe

Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe

К вопросу о природе кандолюминесценции окиси цинка диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Соколов, Владимир Алексеевич физик 1914-1979
Публикация: (1949)