Распределение массы кремнийорганического покрытия в плазмохимическом реакторе на основе тлеющего разряда в потоке газа

Метод плазмохимического осаждения из паровой фазы позво-ляет синтезировать широкий спектр различных материалов, в частности кремний-органические полимер-подобные покрытия. В настоящей работе для осаждения полимер-подобного покрытия используется плазмохимический реактор с коакси-ально расположенными...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Вестник Томского государственного университета. Химия № 34. С. 120-131
Other Authors: Зуза, Даниил Александрович, Нехорошев, Виталий Олегович, Батраков, Александр Владимирович, Курзина, Ирина Александровна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145264
LEADER 05835nab a2200349 c 4500
001 koha001145264
005 20241127170349.0
007 cr |
008 241008|2024 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/24135542/34/10  |2 doi 
035 |a koha001145264 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Распределение массы кремнийорганического покрытия в плазмохимическом реакторе на основе тлеющего разряда в потоке газа  |c Д. А. Зуза, В. О. Нехорошев, А. В. Батраков, И. А. Курзина 
246 1 1 |a Organosilicon coating mass distribution in plasma-chemical reactor based on glow discharge in gas flow 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
520 3 |a Метод плазмохимического осаждения из паровой фазы позво-ляет синтезировать широкий спектр различных материалов, в частности кремний-органические полимер-подобные покрытия. В настоящей работе для осаждения полимер-подобного покрытия используется плазмохимический реактор с коакси-ально расположенными полыми электродами, в котором тлеющий разряд посто-янного тока поддерживается в потоке плазмообразующего газа при низком дав-лении. В качестве плазмообразующего газа использовался аргон, расход которого составлял 230 мг/мин. В качестве исходного соединения для осаждения исполь-зовался гексаметилдисилоксан, выступающий молекулярной примесью в потоке инертного газа, его расход составлял 10 мг/мин. Цель настоящей работы – экспери-ментальное исследование распределения массы осажденного кремнийорганиче-ского полимер-подобного покрытия на различных составляющих частях плазмохи-мической системы на основе тлеющего разряда – на внутренних поверхностях реактора и на подложке, расположенной на расстоянии 15 мм от сопла реактора. Эксперимент показал, что при мощности разряда 30 Вт суммарная измеренная масса покрытия составила 33 мг. Таким образом, массовое преобразование ис-ходного вещества составило более 33%. Показано, что около 90% всей измеренной массы покрытия осело внутри плазмохимического реактора – на внутренней по-верхности полого катода и внутренней поверхности стеклянной трубки, и 10% на подложке. Таким образом, настоящую систему можно использовать не только для удаленного локального осаждения, но и для покрывания внутренних стенок трубок полимер-подобным покрытием. Также было выявлено, что в связи с раз-личием условий протекания процессов в катодных слоях и плазме положитель-ного столба тлеющего разряда возникают некоторые особенности осаждения на различные поверхности в системе. Например, с помощью оптического микро-скопа была исследована микроструктура покрытий, полученных на катоде, стек-лянной трубке и подложке. Выявлено, что покрытия состоят из округлых микро-частиц и имеют существенное различие: средний размер микрочастиц на стек-лянной трубке и подложке составляет 2–5 мкм, что на порядок ниже среднего размера частиц, осажденных на катоде. 
653 |a тлеющий разряд 
653 |a плазменная полимеризация 
653 |a полимерподобные покрытия 
653 |a кремнийорганические покрытия 
653 |a плазмохимическое осаждение из газовой фазы 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Зуза, Даниил Александрович 
700 1 |a Нехорошев, Виталий Олегович 
700 1 |a Батраков, Александр Владимирович 
700 1 |a Курзина, Ирина Александровна 
773 0 |t Вестник Томского государственного университета. Химия  |d 2024  |g  № 34. С. 120-131  |x 2413-5542  |w to000518048 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145264 
908 |a статья 
999 |c 1145264  |d 1145264