Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 332-333
Другие авторы:	Коханенко, Андрей Павлович, Диб, Хазем, Лозовой, Кирилл Александрович, Коротаев, Александр Григорьевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	лавинные фотодетекторы германий кремний экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145506 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
по: Диб, Хазем

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
по: Диб, Хазем

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
по: Диб, Хазем

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge

Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии
по: Коханенко, Андрей Павлович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2
по: Подзывалов, Сергей Николаевич

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Расчет параметров фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф Мохаммедовна

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
по: Брудный, Валентин Натанович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Применение СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления эпитаксиальных пленок кремния и германия

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
по: Самарин, А. А.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods