Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Механизмы формирования тока в...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Bibliographic Details
Published in:XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024 г., Москва, Россия : материалы конференции С. 329-331
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
nBn-структура
теллурид кадмия-ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145509
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145509

Similar Items

  • Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
  • Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe
  • Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути
  • Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
  • Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...