Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)
Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхст...
| Опубликовано в: : | XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 288-289 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145854 |