Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)
Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхст...
| Опубликовано в: : | XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 288-289 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145854 |
| Итог: | Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхструктуры 7 x 7 в 5 x 5 и значения критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в диапазоне от 250 до 700 °C. Показано, что время перехода от сверхструктуры 7 x 7 к сверхструктуре 5 х 5 зависит от температуры эпитаксиального роста. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 2 назв. |
| ISBN: | 9785726229317 |