Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Температурные особенности сверхструктурных переходов при росте наноструктур Ge/Si (111)

Представлены результаты исследования процессов эпитаксиального роста германия на кремнии с кристаллографической ориентацией (111) в широком интервале температур. С помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов определены температурные зависимости продолжительности стадии перехода из сверхст...

Full description

Bibliographic Details
Published in:	XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 288-289
Other Authors:	Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Кукенов, Олжас Игоревич, Коханенко, Андрей Павлович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	эпитаксиальный рост германий кремний экспериментальные исследования сверхструктурные переходы статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001145854

Similar Items

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
by: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Ab initio расчеты энергий адсорбции атома кремния на крае и в изломах моноатомной ступени на поверхности Si(100)
by: Пидченко, Михаил Борисович

Исследование эпитаксиального роста германия методом дифракции электронов
by: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
by: Ишков, Арман Дмитриевич

Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
by: Диб, Хазем

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
by: Кукенов, Олжас Игоревич

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
by: Брудный, Валентин Натанович

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Моноатомные ступени на поверхности кремния
by: Латышев, Александр Васильевич
Published: (2006)

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
by: Lozovoy, Kirill A.

Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots

Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy

Electronic states in vertically ordered Ge/Si quantum dots detected by photocurrent spectroscopy

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
by: Коханенко, Андрей Павлович

Детекторы ИК-диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
by: Самарин, А. А.

Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods

Photodetectors and solar cells with GeSi quantum dots parameters dependence on growth conditions

Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Вилисова, Мария Дмитриевна
Published: (1972)

Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
by: Лозовой, Кирилл Александрович

Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy

Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
by: Kokhanenko, Andrey P.

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич