Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs
В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с...
| Опубликовано в: : | Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 66-67 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146079 |
| Итог: | В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ = 254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. Средние значения напряжения холостого хода Uхх структур Ga2O3/п-GaAs составляют 0,4 В, ток короткого замыкания Iкз =1ˑ10-6 А. Если при прочих равных условиях Ga2O3 наносится на пластину GaAs:Сr, то Uхх повышается до 0,8 В, а Iкз = 6ˑ10-9 А. |
|---|---|
| ISBN: | 9785936296987 |