Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs

Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs

В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n(p)-GaAs. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 66-67
Главный автор:	Киселева, Ольга Сергеевна
Другие авторы:	Кушнарев, Богдан Олегович, Цымбалов, Александр Вячеславович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	УФ-излучение токи короткого замыкания арсенид галлия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146079

Похожие документы

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур

Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома
по: Будницкий, Давыд Львович

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Идентификация установившегося тока короткого замыкания с помощью магнитоуправляемых контактов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.14.02
по: Жантлесова, А. Б. специалист в области электроэнергетики ассистент Томского политехнического университета 1982-
Публикация: (2013)

Идентификация установившегося тока короткого замыкания с помощью магнитоуправляемых контактов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.14.02
по: Жантлесова, А. Б. специалист в области электроэнергетики ассистент Томского политехнического университета 1982-
Публикация: (2013)

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs

Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Molecular dynamics simulation of Ga and As emission from GaAs surface
по: Sulaymanov, N. T.

Аномальная интенсивностная зависимость времени возгорания и затухания экситонной фотолюминесценции в высокочастотных слоях GaAs и прямозонных твердых растворов AlGaAs

Электрические свойства GaAs, легированного железом

Идентификация установившегося тока короткого замыкания с помощью магнитоуправляемых контактов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.14.02
по: Жантлесова, А. Б. специалист в области электроэнергетики ассистент Томского политехнического университета 1982-
Публикация: (2013)

Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures

Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te

Enginering As nano-clusters in GaAs
по: Chaldyshev, Vladimir V.

Плавкие предохранители в установках напряжением до 1000 вольт
по: Айзенберг, Борис Львович
Публикация: (1955)

Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами

Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n
по: Прыкина, Елена Николаевна

Основные антиструктурные дефекты в GaAs
по: Кухто, О. Л

Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе
по: Ардышев, Михаил Вячеславович

Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs
по: Чернышов, Виктор Николаевич

GaAs/InGaAs микро-, нанотрубки и перспективы их применения в микромеханике и биологии
по: Принц, Александр Викторович

GaAs маска для нанолитографии
по: Принц, Виктор Яковлевич

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Growth and characterization of bulk solution grown GaAs crystal

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев
по: Панин, Алексей Викторович

Синтез тонких оксидных слоев на поверхности GaAs термооксидированием в присутствии композиций Sb2O3+V2O5
по: Кострюков, Виктор Федорович

Исследование влияния процессов получения на свойства пленок Ga2O3
по: Таллер, Елена Викторовна

Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr

Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs

Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
по: Кухто, О. Л

Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga

Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration

Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam