Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
This paper presents a study of the bimodal character of the intensity oscillations of diffraction patterns obtained by the method of fast reflected electron diffraction during the epitaxial growth of Si on a Si(100) substrate. The dependence of the nature of oscillations of the intensity of diffract...
| Published in: | Двадцатая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 2–5 мая 2023 г. С. 162-163 |
|---|---|
| Main Author: | Sokolov, А. S. |
| Other Authors: | Kukenov, Olzhas I. |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | English |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001146789 |
Similar Items
-
RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
by: Dyukov, I. Y. -
Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
by: Ворсин, Олег Игоревич -
Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
by: Кукенов, Олжас Игоревич -
Перцептивные компоненты семантики существительных, прилагательных, глаголов узбекского языка: нормативные данные
by: Махмудов, Умиджан Реимбаевич -
Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Дирко, Владимир Владиславович
Published: (2022)
