К теории баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Рассчитан и проведен теоретический анализ баллистического вклада в ток линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках симметрии тетраэдра со сложной зонной структурой, состоящей из двух близко расположенных подзон. При этом учтены переходы между ветвями одн...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 114-121 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147422 |