К теории баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Рассчитан и проведен теоретический анализ баллистического вклада в ток линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках симметрии тетраэдра со сложной зонной структурой, состоящей из двух близко расположенных подзон. При этом учтены переходы между ветвями одн...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 114-121 |
|---|---|
| Главный автор: | Расулов, Рустам Явкачович |
| Другие авторы: | Расулов, Вохоб Рустамович, Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147422 |
Похожие документы
-
К теории сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
по: Расулов, Рустам Явкачович -
Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения
по: Расулов, Рустам Явкачович -
Влияние поглощения из возбужденных состояний на пропускание сред на основе органических красителей при двухфотонном возбуждении
по: Светличный, Валерий Анатольевич -
Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления/
по: Стурман, Б. И. Борис Ицхакович, et al.
Публикация: (1992) -
Оптическое выпрямление и удвоение частоты в парах металлов
по: Кочанов, Виктор Павлович
