К теории баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Рассчитан и проведен теоретический анализ баллистического вклада в ток линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках симметрии тетраэдра со сложной зонной структурой, состоящей из двух близко расположенных подзон. При этом учтены переходы между ветвями одн...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 3. С. 114-121 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001147422 |