Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощ...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 5. С. 123-127 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8-100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸-1.5⋅10¹⁹ см⁻³. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 15 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |