Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении

Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглоще...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 5. С. 123-127
Главный автор: Куликов, Виктор Дмитриевич
Другие авторы: Яковлев, Виктор Юрьевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148250