Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)<Mn>

Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)<Mn>

Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn>, являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn> высокоэнергетическими электронами (Ee...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 3-7
Other Authors: Козярский, Иван Петрович, Маслюк, Владимир Трохимович, Марьянчук, Павел Дмитриевич, Майструк, Эдуард Васильевич, Козярский, Дмитрий Петрович, Мегела, Иван Георгиевич, Лашкарев, Георгий Вадимович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
кристаллы
электропроводность
магнитная восприимчивость
кластеры
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148276

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148276

Similar Items