Устойчивость к облучению (HgSe)3(In2Se3)<Mn>
Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn>, являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn> высокоэнергетическими электронами (E...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 3-7 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148276 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn>, являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe)₃(In₂Se₃)<Mn> высокоэнергетическими электронами (Ee = 10 МэВ, доза D = 10¹⁶ см⁻²) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 12 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |