Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 8-14 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148277 |
| Summary: | Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих характеристик инфракрасных детекторов на квантовых точках с детекторами на основе HgCdTe. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 11 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
