Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si

Рассматриваются инфракрасные фотодетекторы с квантовыми точками германия на кремнии. Рассчитываются некоторые характеристики таких детекторов, а именно: темновой ток и обнаружительная способность в режимах ограничения фоном и генерационно-рекомбинационными шумами. Проводится также сравнение рабочих...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 7. С. 8-14
Главный автор:	Духан, Рахаф М. Х.
Другие авторы:	Коханенко, Андрей Павлович, Лозовой, Кирилл Александрович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	квантовые точки кремний германий наноструктуры молекулярно-лучевая эпитаксия фотодетекторы темновой ток обнаружительная способность статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148277