Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)

Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. С. 35-36
Главный автор:	Каширский, Данила Евгеньевич
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Горн, Дмитрий Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	униполярные барьерные системы квантовые ямы гетероструктуры приборно-технологическое моделирование статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148305

Похожие документы

Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection

Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe

Interface studies in HgTe/HgCdTe quantum wells

Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования

TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells

Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well

Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe

Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n – структур на основе HgCdTe

Расчет профилей состава квантовых структур (HgTe-Hg1-xCdxTe)n в процессе их роста методом in situ эллипсометрии

An experimental study of the dynamic resistance in surface leakage limited nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм

Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине "Элементы твердотельной наноэлектроники" [по направлению 210100 "Электроника и наноэлктроника"]
по: Красюков, Антон Юрьевич
Публикация: (2011)

Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films

Особенности магнитных свойств полупроводников Hg1-xCdxTe, Hg1-xMnxTe автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Шестаков, Алексей Валерьевич
Публикация: (2021)

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe

Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
по: Talipov, Niyaz Kh

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Горн, Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Горн, Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники

Лабораторный практикум по дисциплине "Наноэлектронные устройства и их модели" [проектирование ИС с проектными нормами менее 100 нм : интегральная наноэлектроника]
по: Артамонова, Евгения Анатольевна
Публикация: (2011)

Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Чарыков, И. В.

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Background donor concentration in HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Радиационные эффекты в HgCdTe

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии