Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом

Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристика...

Full description

Bibliographic Details

Published in:	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 12. С. 14-20
Main Author:	Ющенко, Алексей Юрьевич
Other Authors:	Айзенштат, Геннадий Исаакович, Федотова, Фаина Игнатьевна
Format:	Article
Language:	Russian
Subjects:	Шоттки диоды Шоттки барьер гетероструктуры двумерный электронный газ статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060