| Summary: | Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристикам идеальных контактов на основе алюминия или молибдена, созданных в процессе молекулярной эпитаксии. Показано также, что измеряемая высота барьера Шоттки в диодах, созданных на псевдоморфных гетероструктурах, меньше, а коэффициент идеальности выше, чем на гомоструктурах AlGaAs. Наряду с известными методиками определения высоты барьера Шоттки, в работе апробирована методика, основанная на измерении порогового напряжения в диодах с двумерным электронным газом.
|
|---|
