Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом

Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характерист...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 12. С. 14-20
Main Author: Ющенко, Алексей Юрьевич
Other Authors: Айзенштат, Геннадий Исаакович, Федотова, Фаина Игнатьевна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Шоттки диоды
Шоттки барьер
гетероструктуры
двумерный электронный газ
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристикам идеальных контактов на основе алюминия или молибдена, созданных в процессе молекулярной эпитаксии. Показано также, что измеряемая высота барьера Шоттки в диодах, созданных на псевдоморфных гетероструктурах, меньше, а коэффициент идеальности выше, чем на гомоструктурах AlGaAs. Наряду с известными методиками определения высоты барьера Шоттки, в работе апробирована методика, основанная на измерении порогового напряжения в диодах с двумерным электронным газом.
Bibliography:Библиогр.: 22 назв.
ISSN:0021-3411

Similar Items