|
|
|
|
| LEADER |
02717nab a2200313 c 4500 |
| 001 |
koha001149060 |
| 005 |
20241209170401.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
241206|2018 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001149060
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Ющенко, Алексей Юрьевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
|c А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Ф. И. Федотова
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 22 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристикам идеальных контактов на основе алюминия или молибдена, созданных в процессе молекулярной эпитаксии. Показано также, что измеряемая высота барьера Шоттки в диодах, созданных на псевдоморфных гетероструктурах, меньше, а коэффициент идеальности выше, чем на гомоструктурах AlGaAs. Наряду с известными методиками определения высоты барьера Шоттки, в работе апробирована методика, основанная на измерении порогового напряжения в диодах с двумерным электронным газом.
|
| 653 |
|
|
|a Шоттки диоды
|
| 653 |
|
|
|a Шоттки барьер
|
| 653 |
|
|
|a гетероструктуры
|
| 653 |
|
|
|a двумерный электронный газ
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Айзенштат, Геннадий Исаакович
|
| 700 |
1 |
|
|a Федотова, Фаина Игнатьевна
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2018
|g Т. 61, № 12. С. 14-20
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1149060
|d 1149060
|
