Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характерист...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 12. С. 14-20 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 02929nab a2200337 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001149060 | ||
| 005 | 20241209170401.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 241206|2018 ru s c rus d | ||
| 035 | |a koha001149060 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Ющенко, Алексей Юрьевич |9 385456 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом |c А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Ф. И. Федотова |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 22 назв. | ||
| 520 | 3 | |a Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристикам идеальных контактов на основе алюминия или молибдена, созданных в процессе молекулярной эпитаксии. Показано также, что измеряемая высота барьера Шоттки в диодах, созданных на псевдоморфных гетероструктурах, меньше, а коэффициент идеальности выше, чем на гомоструктурах AlGaAs. Наряду с известными методиками определения высоты барьера Шоттки, в работе апробирована методика, основанная на измерении порогового напряжения в диодах с двумерным электронным газом. | |
| 653 | |a Шоттки диоды | ||
| 653 | |a Шоттки барьер | ||
| 653 | |a гетероструктуры | ||
| 653 | |a двумерный электронный газ | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 980497 | |
| 700 | 1 | |a Айзенштат, Геннадий Исаакович |9 86748 | |
| 700 | 1 | |a Федотова, Фаина Игнатьевна |9 980499 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2018 |g Т. 61, № 12. С. 14-20 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1149060 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 039 | |b 100 | ||
| 999 | |c 1149060 |d 1149060 | ||