Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом

Представлены результаты исследований характеристик контактов с барьерами Шоттки на псевдоморфной гетероструктуре AlGaAs/InGaAs. Диоды Шоттки с барьером на основе Ti создавались по стандартной pHEMT-технологии. Показано, что параметры изготовленных контактов с барьерами Шоттки близки к характеристика...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 12. С. 14-20
Главный автор:	Ющенко, Алексей Юрьевич
Другие авторы:	Айзенштат, Геннадий Исаакович, Федотова, Фаина Игнатьевна
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	Шоттки диоды Шоттки барьер гетероструктуры двумерный электронный газ статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149060