Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористые – Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10–16 нм), который обеспечивает...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 9. С. 96-101
Other Authors: Мамедов, Гусейн Микаил, Кукевеч, Акош, Коня, Золтан, Кордаш, Кризстиан, Шах, Сйед Исмат, Мамедов, Вусал Усуб, Ахмедова, Хумар Муса, Мамедова, Вусала Джалали, Рзаев, Ровнаг Мирза, Шамилова, Шахла Асеф, Ханмамедова, Элмира Алекпер, Агазаде, Лале Элчин
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
электрохимическое осаждение
анодирование
пористый кремний
гетеропереходы
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149502

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149502

Similar Items