Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористые – Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10–16 нм), который обеспечивает...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 9. С. 96-101
Other Authors: Мамедов, Гусейн Микаил, Кукевеч, Акош, Коня, Золтан, Кордаш, Кризстиан, Шах, Сйед Исмат, Мамедов, Вусал Усуб, Ахмедова, Хумар Муса, Мамедова, Вусала Джалали, Рзаев, Ровнаг Мирза, Шамилова, Шахла Асеф, Ханмамедова, Элмира Алекпер, Агазаде, Лале Элчин
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149502
LEADER 02499nab a2200421 c 4500
001 koha001149502
005 20241223130429.0
007 cr |
008 241217|2018 ru s c rus d
035 |a koha001149502 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS  |c Г. М. Мамедов, А. Кукевеч, З. Коня [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 21 назв. 
520 3 |a В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористые – Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10–16 нм), который обеспечивает максимальную эффективность фотоэлектрического преобразования (7.71 %) гетеропереходов. 
653 |a электрохимическое осаждение 
653 |a анодирование 
653 |a пористый кремний 
653 |a гетеропереходы 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Мамедов, Гусейн Микаил 
700 1 |a Кукевеч, Акош 
700 1 |a Коня, Золтан 
700 1 |a Кордаш, Кризстиан 
700 1 |a Шах, Сйед Исмат 
700 1 |a Мамедов, Вусал Усуб 
700 1 |a Ахмедова, Хумар Муса 
700 1 |a Мамедова, Вусала Джалали 
700 1 |a Рзаев, Ровнаг Мирза 
700 1 |a Шамилова, Шахла Асеф 
700 1 |a Ханмамедова, Элмира Алекпер 
700 1 |a Агазаде, Лале Элчин 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2018  |g Т. 61, № 9. С. 96-101  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149502 
908 |a статья 
999 |c 1149502  |d 1149502