Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый – Si/CdS

В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c-Si/пористые – Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10–16 нм), который обеспечивает...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 9. С. 96-101
Другие авторы:	Мамедов, Гусейн Микаил, Кукевеч, Акош, Коня, Золтан, Кордаш, Кризстиан, Шах, Сйед Исмат, Мамедов, Вусал Усуб, Ахмедова, Хумар Муса, Мамедова, Вусала Джалали, Рзаев, Ровнаг Мирза, Шамилова, Шахла Асеф, Ханмамедова, Элмира Алекпер, Агазаде, Лале Элчин
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	электрохимическое осаждение анодирование пористый кремний гетеропереходы статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149502

Похожие документы

Электрофизические характеристики GeSi/Si гетеропереходов
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Формирование пористого кремния методами металл-стимулированного химического травления и электрохимического травления
по: Круковский, Константин Витальевич

Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Лупин, Владимир Михайлович
Публикация: (1974)

Электрические свойства изотипных гетеропереходов, полученных методом лазерно-импульсного осаждения

Исследование режимов вакуумно-анодной технологии получения диэлектрических пленок. Спец.05.12.10-Вакуумная и газоразряд. электроника, включ. материалы, технологию и спец. оборуд.: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. На правах рукописи/
по: Мотошкин Виктор Владимирович
Публикация: (1979)

Плазменное анодирование: Физика, техника, применение в микроэлектронике: научное издание/
по: Пархутин, В. П. Виталий Петрович, et al.
Публикация: (1990)

Повышение механической устойчивости макрообразцов кремния, содержащих область иерархически организованной поровой структуры

Пористые кремниевые газопроницаемые мембраны

Акустическая микроскопия пористого кремния
по: Бибик, Е. А.

Низкочастотный шум двухбарьерных квантовых гетеропереходов
по: Безруков, Р. В.

Взаимодействие органических молекул с кремниевыми наноструктурами
по: Зайцев, Владимир Борисович

Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970-1988 гг.)
по: Николаев, Константин Петрович
Публикация: (1989)

Разработка механически устойчивых макрообразцов кремния, содержащих область иерархически организованной поровой структуры, для использования в медицине

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition

Исследование процессов получения металлических пленок методом электрохимического осаждения: руководство к лабораторной работе/
по: Чикин, Е. В. Евгений Владимирович
Публикация: (2006)

Механизм проводимости гетеропереходов Ga2O3-GaAs
по: Ремизова, Ирина Леонидовна

Полярографическое исследование смешанного потенциала и смешанного тока на амальгамах в неравновесной смеси нескольких окислительно-восстановительных систем диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Жихарев, Юрий Николаевич
Публикация: (1970)

Свойства гетероэпитаксиальных слоев германия и арсенида галлия и гетеропереходов на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Захаров, Иван Сафонович 1944-2010
Публикация: (1970)

Исследование электрических характеристик БИС с использованием пористого кремния
по: Жолудев, Г. К.

Influence of surface modification of nitinol with silicon using plasma-immersion ion implantation on the alloy corrosion resistance in artificial physiological solutions

Возможности и перспективы использования пористого кремния для создания свободного от полимеров лекарственного покрытия на внутрисосудистых стентах
по: Кашин, Олег Александрович

Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния
по: Трегулов, Вадим Викторович

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Синтез поликристаллического CdSiP2 в градиентном температурном поле
по: Курасова, Анна Сергеевна

Получение покрытий анодно-искровым электролизом: производственно-практическое издание/
по: Черненко, В. И. Владимир Иванович, et al.
Публикация: (1991)

Полярографическое определение ультрамикропримесей с накоплением их на стационарных ртутных или твердых электродах с последующим растворением [сборник
Публикация: (1963)

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс/
по: Костишко, Б. М., et al.
Публикация: (2006)

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Оксидирование алюминия и его сплавов/
по: Шрейдер, А. В. Александр Викторович
Публикация: (1960)

Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers

Получение наноструктурных пористых материалов электрохимическим анодированием алюминия

Получение диодных гетероструктур p-Si/n-ZnO и исследование их вольтамперных характеристик
по: Алексанян, А. Ю.

Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе GeSi/Si гетеропереходов

Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра - Блоджетт

Influence of modifying mixtures on Si crystal formation in Al-7%Si alloy

Физико-химические процессы при нестационарном высокоэнергетическом синтезе селенида кадмия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04
по: Малий, Любовь Викторовна
Публикация: (2018)

Визит королю Si [О кремнии]
по: Зубехин, Алексей Павлович
Публикация: (1991)

Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника" и по специальностям 010803 (014100) "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", 210100 "Электроника и микроэлектроника", 210100 (550700) "Электроника и микроэлектроника" (бакалавр)]
по: Гаврилов, Сергей Александрович доктор техн. наук
Публикация: (2009)