Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями переходных элементов, в качестве материала для спинтроники

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями переходных элементов, в качестве материала для спинтроники

Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного железом, хромом и другими переходными элементами. По данным теоретических и экспериментальных исследований, GaN, легированный переходными элементами, обладает ферромагнитными свойствами с температурой Кюри выше комнатной и явл...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 11. С. 74-83
Другие авторы:	Хлудков, Станислав Степанович, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Ивонин, Иван Варфоломеевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	нитрид галлия ферромагнитные свойства примеси переходных элементов железо хром статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001150975 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный марганцем, в качестве материала для спинтроники

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники

Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
по: Хлудков, Станислав Степанович

Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
по: Брудный, Валентин Натанович

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Прудаев, Илья Анатольевич
Публикация: (2009)

Свойства монокристаллов селенида галлия, легированных изовалентными примесями

Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
по: Антонов, В. В.

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями

Отжиг нитрида галлия при электронно-лучевой обработке
по: Баровский, Н. В.

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Публикация: (2016)

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Исследование электрофизических свойств термообработанного и легированного быстродиффундирующими примесями арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Малисова, Е. В.
Публикация: (1971)

Состав и структура градиентно-слоистых покрытий: легированный нитрид титана - дисперсно-упрочненный аморфный углерод
по: Овчинников, Станислав Владимирович

Спектры ростовых ловушек нитрида галлия
по: Брудный, Павел Александрович

Численный анализ переноса фотоносителей в детекторных структурах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Трофимов, Михаил Сергеевич

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2

Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

Формирование шероховатости на поверхности нитрида галлия
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Нитрид кремния в электронике/
по: Белый, В. И. Вячеслав Иванович, et al.
Публикация: (1982)

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
по: Хлудков, Станислав Степанович

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников

Сплавы железо-хром-алюминий
по: Корнилов, Иван Иванович
Публикация: (1945)

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Технология материалов электронной техники.

Нитрид кремния в электронике
Публикация: (1982)

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна