Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3
Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7-6.5 эВ. Из рассчитанного электро...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 6. С. 57-62 |
|---|---|
| Другие авторы: | Джахангирли, Закир Агасолтан оглы, Амирасланов, Имамаддин Раджабали оглы, Рахимли, Айсел Бахтияр кызы, Сеидов, Рамиз Гекджа, Байрамова, Тунзале Октай кызы |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151135 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
- Properties of discrete breathers in graphane from ab initio simulations
-
Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
по: Bakulin, Alexander V. -
Плотность электронных состояний турбостратного графена c беспорядком во внешнем поле
по: Бобенко, Надежда Георгиевна -
Ab initio calculations of absolute surface energies of clean and hydrogen covered 3C-SiC(001), (110) and (111) surfaces
по: Filimonov, Sergey N. -
Моделирование электронных свойств кремниевых нанотрубок
по: Филиппов, Владимир Владимирович физик
