Оценка влияния внеполевой засветки на функционирование оптико-электронных систем на основе полупроводниковых матричных фотоприемников инфракрасного диапазона
Проведена оценка влияния внеполевой засветки на характеристики оптоэлектронных систем, использующих матричные полупроводниковые фотоприемные устройства, на основе известных их моделей....
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 12. С. 16-21 |
|---|---|
| Главный автор: | Конради, Дмитрий Сергеевич |
| Другие авторы: | Средин, Виктор Геннадиевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151241 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Определение параметров индия при гибридизации матричных фотоприемных устройств на основе InAs, GaAs/AlGaAs, GaAs/HgCdTe
по: Ефимов, Валерий Михайлович -
Влияние интенсивности темновой засветки на характеристики поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы раздела фоторефрактивного и нелинейного керровского кристаллов
по: Савотченко, Сергей Евгеньевич -
Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона [монография]
Публикация: (2021) -
Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001) -
Шумовые свойства фоторезисторов на основе селенида кадмия при фоновой засветке
по: Давыдов, Валерий Николаевич
