Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и н...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 12. С. 22-30
Другие авторы:	Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Скворцов, Илья Владимирович, Машанов, Владимир Иванович, Перевалов, Тимофей Викторович, Исламов, Дамир Ревинирович, Азаров, Иван Алексеевич, Ярошевич, Александр Сергеевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия теория функционала плотности показатель поглощения наноструктурированные фасетированные поверхности статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151242 Перейти в каталог НБ ТГУ