Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического карбида кремния

Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического карбида кремния

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 70
Другие авторы:	Жидиков, Алексей Витальевич, Тяжев, Антон Владимирович, Щербаков, Иван Дмитриевич, Толбанов, Олег Петрович, Зарубин, Андрей Николаевич, Шемерянкина, Анастасия Владимировна, Скакунов, Максим Сергеевич, Винник, Александр Евгеньевич, Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	фоточувствительность сенсоры рентгеновского излучения карбид кремния экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151545 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира

Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического сапфира

Моделирование эффективности сбора заряда и фоточувствительности карбид кремниевых и сапфировых сенсоров рентгеновского излучения

Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Аппаратная реализация системы управления и сбора данных для счетных детекторов рентгеновского излучения

Использование СВЧ-резонаторного метода для измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин из карбида кремния

Моделирование эффективности сбора заряда и отношения сигнал/шум сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Голубев, Михаил Сергеевич

Компьютерное моделирование начальных стадий роста карбида кремния на кремнии из монометилсилана
по: Петраков, Владислав Александрович

Влияние содержания карбида кремния на уплотнение композитов TiB2 - SiC
по: Ян, Сяо

Зависимость модуля упругости и твердости от содержания карбида кремния в керамиках TiB2-SiC
по: Ян, Сяо

Получение композитов на основе карбида кремния из прекерамических бумаг методом искрового плазменного спекания

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Теоретическое исследование зародышеобразования карбида кремния на поверхности металла
по: Мазов, Илья Николаевич

Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
по: Косухин, Константин Михайлович

Исследование образования отрицательно-ионных и нейтральных кластеров при распылении карбида кремния и ЩГК ионами цезия Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.04
по: Абдуллаев, Аскар Хусинович
Публикация: (1995)

Твердотельные фрактальные структуры карбида бора и карбида кремния, их получение в плазме электрического дугового разряда и некоторые физические свойства
по: Посметьев, В. В.

Изучение влияния содержания углеродного компонента в составе реакционно-спеченной карбидокремниевой керамики на ее физико-механические характеристики

Основы физики рентгеновского излучения
по: Павлинский, Гелий Вениаминович
Публикация: (2007)

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Плазмодинамический синтез ультрадисперсного карбида кремния автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
по: Никитин, Д. С. специалист в области электроэнергетики доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук 1991-
Публикация: (2019)

Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста

Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами монография
по: Окунев, Алексей Олегович
Публикация: (2006)

Влияние высокоэнергетической механической активации дисперсных систем на структуру композиционных материалов ZrB2-SiC
по: Бурлаченко, Александр Геннадьевич

Спектральные детекторы рентгеновского излучения для неразрушающего контроля объектов из полимерных композитных материалов

Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation
по: Brudnyi, Valentin N.

Silicon carbide micro electromechanical system for harsh environments
Публикация: (2006)

Комплексированный ИК+УФ интегральный матричный фотоприемник на основе микроболометров и SiC

К фотопроводимости германия и кремния под действием стационарного и импульсного рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Камолдинов, Михаил Гильмутдинович
Публикация: (1967)

Газочувствительные свойства тонкопленочных материалов на основе систем оксидов D-металлов и кремния
по: Бричков, Антон Сергеевич

Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения

Optical properties of vanadium and nitrogen doped 4H and 6H-SiC

Эволюция ударных волн в керамике SiC

Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения
по: Брудный, Валентин Натанович

Влияние термической обработки на структуру и свойства покрытий на основе карбида хрома и карбида титана
по: Крылова, Татьяна Александровна

Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров

Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers

Influence of temperature on the energy resolution of sensors based on HR GaAs:Cr

О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению

Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров

Газовая чувствительность тонкопленочных систем двойных оксидов кремния и d-металлов