Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
| Published in: | Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 67 |
|---|---|
| Main Author: | Яковлев, Никита Николаевич |
| Other Authors: | Алмаев, Алексей Викторович |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151547 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
by: Цымбалов, Александр Вячеславович - Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем
- Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3
- Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки
-
Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
by: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Published: (1974)
